[发明专利]用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 00130957.9 | 申请日： | 2000-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1297258A | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 谭健;阿施拉夫·瓦吉赫·洛特菲 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成在半导体晶片的衬底之上的横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、一种制造它的方法和组装了MOSFET的半导体器件及其制造方法。在一个实施例中,MOSFET包括位于衬底之上或之内的碳化硅层,栅极形成于碳化硅层之上。MOSFET还包括位于碳化硅层中并且与该栅极接触的源区和漏区,碳化硅层提高了MOSFET的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 电源开关 碳化硅 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：位于半导体晶片的衬底之上或之内的碳化硅层，形成于碳化硅层之上的栅极；以及位于碳化硅层中并且横向地偏离开该栅极的源区和漏区。
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