[发明专利]具有至少一个电容的集成电路及其制造方法

摘要

具有至少一个电容的集成电路，所述电容位于一个衬底(1)的表面上，电容的第一电容电极具有一个底部(T)和设置在该底部(T)上的侧部(S)。至少侧部(S)的第一侧面呈波浪形状，使得该侧面交替沿直线构成凸形和凹形，所述直线分布在一个平行于所述衬底(1)表面的平面上。所述侧部(S)可通过在沟道(V)内淀积导电材料生成，而沟道是在一个薄膜结构内制出的，薄膜的各层交替由一种第一材料和一种第二材料组成，并且相对第二材料，对第一材料进行选择性湿法腐蚀，直至到达一个第一深度。在第一电容电极上制出电容介质(KD)。以所述电容介质(KD)为界毗连一个第二电容电极(P)。图7a

主权项

1.一种集成电路，具有至少一个电容和一个配置的选择晶体管，其中，-所述电容位于一个衬底(1)的表面上，-所述电容的第一电容电极具有一个底部(T)和设置在该底部(T)上的侧部(S)，-所述侧部(S)具有一个第一侧面和一个第二侧面，两者相对设置，其相互间的距离小于侧部(S)的高度，-至少侧部(S)的第一侧面呈波浪形状，使得该侧面交替沿直线构成凸形和凹形，所述直线分布在一个平行于所述衬底(1)表面的平面上，-在所述侧部(S)以及所述底部(T)的至少一个位于所述衬底(1)的背面表面上设置电容介质(KD)，-以所述电容介质(KD)为界毗连一个第二电容电极(P)，-设置有一个安置在衬底(1)中的沟道(G1)，在所述沟道(G1)中在一个底部分布有一个位线(B)，所述位线(B)具有一个金属部分和一个含有掺杂的硅的部分，并且在所述底部之上构成一个字线(W)，-设置有一个垂直的晶体管，一个第一掺杂区(S/DU)在含有掺杂的硅的位线(B)的部分处与所述垂直的晶体管相邻接，一个栅极介质(GD)在字线处与所述垂直的晶体管相邻接并且另一个掺杂区(S/DO)在所述电容的底部(T)处与所述垂直的晶体管相邻接。