[发明专利]铸造高硅铝硅合金的双重变质剂无效
申请号: | 00131196.4 | 申请日: | 2000-11-30 |
公开(公告)号: | CN1111208C | 公开(公告)日: | 2003-06-11 |
发明(设计)人: | 吴树森;吴广忠 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C22C21/04 | 分类号: | C22C21/04;C22C1/06 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 方放,杨为国 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 铸造高硅铝硅合金的双重变质剂,其组成成分按重量百分比为P10~30%、Sr10~40%、O5~40%,余为缓冲熔剂,组成成分P以单质或磷盐形式提供,Sr以SrCl2或SrO2形式提供,O以氧化物形式提供,诸原料经烘干后机械混合。使用本变质剂初晶Si尺寸细化到小于20μm,共晶Si成为粒状,高Si含量的Al-Si合金材料抗拉强度和延伸率大为提高,切削加工性能明显改善。 | ||
搜索关键词: | 铸造 高硅铝硅 合金 双重 变质 | ||
【主权项】:
1.一种铸造高硅铝硅合金的双重变质剂,含有锶,其特征为:(1)其组成成分的重量百分比中P=10~30%,Sr=10~40%,O=5~40%,余为卤化物缓冲熔剂,(2)所述组成成分P以单质或磷盐形式提供,组成成分Sr以SrCl2或SrO2形式提供,(3)所述组成成分O以氧化物形式提供,其中被氧化元素和氧的亲合力比铝氧亲合力低,(4)组成成分诸原料经过烘干去除水分后机械混合。
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