[发明专利]氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法有效
| 申请号： | 00131322.3 | 申请日： | 2000-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1163977C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴启保;章裕中;王胜国;熊建明 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王锁林 |
| 地址： | 518055广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法，采取如下步骤：a.检测晶体外延片，进行p型层活化，形成p型层；b.依次进行隔离光刻、隔离干法刻蚀、n电极刻蚀光刻及n电极区干法刻蚀，形成n台面；c.在n型层上形成n电极；d.在p型层上形成p电极；e.然后减薄，划片，崩片，分管芯。其改变了现有制作工艺的流程，在刻蚀出n台面后，先后在其上形成n、p电极，电极接触电阻较小，透光率较好；避免了电极多次交替定位制作的烦琐，定位精度和重复定位精度大大提高，生产效率和成品率进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基蓝光 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法，其特征在于采取如下步骤：a、检测氮化镓基蓝光发光晶体外延片，所述晶体外延片由蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、n型GaN化合物半导体层(3)、有源层(4)以及p型GaN化物半导体层(5)组成，对所述晶体外延片的p型GaN化物半导体层(5)进行p型层活化，形成低电阻率的p型导电体；b、依次进行隔离光刻、隔离干法刻蚀、n电极刻蚀光刻及n电极区干法刻蚀，形成n台面；c、在所述的n台面区，依次进行n电极蒸镀光刻、n电极蒸镀及n电极合金，在n型层上形成n电极；d、转入p型层区，依次进行p电极蒸镀光刻、p电极蒸镀、p电极合金、焊盘蒸镀光刻、焊盘蒸镀以及焊盘合金，在p型层上形成p电极；e、然后将衬底减薄，划片，崩片，分管芯。
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