[发明专利]与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法无效
申请号: | 00131662.1 | 申请日: | 2000-10-24 |
公开(公告)号: | CN1302080A | 公开(公告)日: | 2001-07-04 |
发明(设计)人: | 加莫·拉姆达尼;拉文德兰纳特·德鲁帕德;志仪·J·于 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体构造的制造方法,具有下述步骤准备具有表面(12)的硅衬底(10);用原子层淀积法在硅衬底(10)的表面(12)上边形成籽晶层(20;20’)。其特征是在籽晶层(20;20’)上边用原子层淀积法(ALD)形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。 | ||
搜索关键词: | 之间 具有 金属 氧化物 界面 半导体 构造 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体构造的方法,其特征是具有下述步骤:准备具有表面(12)的硅衬底(10);用原子层淀积法在硅衬底的表面上边形成籽晶层(20);在籽晶层上边用原子层淀积法形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造