[发明专利]与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法无效

专利信息
申请号: 00131662.1 申请日: 2000-10-24
公开(公告)号: CN1302080A 公开(公告)日: 2001-07-04
发明(设计)人: 加莫·拉姆达尼;拉文德兰纳特·德鲁帕德;志仪·J·于 申请(专利权)人: 摩托罗拉公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体构造的制造方法,具有下述步骤准备具有表面(12)的硅衬底(10);用原子层淀积法在硅衬底(10)的表面(12)上边形成籽晶层(20;20’)。其特征是在籽晶层(20;20’)上边用原子层淀积法(ALD)形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。
搜索关键词: 之间 具有 金属 氧化物 界面 半导体 构造 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体构造的方法,其特征是具有下述步骤:准备具有表面(12)的硅衬底(10);用原子层淀积法在硅衬底的表面上边形成籽晶层(20);在籽晶层上边用原子层淀积法形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司,未经摩托罗拉公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00131662.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code