[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 00132549.3 | 申请日： | 2000-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1142599C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈泽澎;张智松;杨光能 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L21/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法，其通过一粘接层将发光二极管外延层与不会吸光的透明基板相结合，并把发光二极管基板移除至第一导电型蚀刻终止层，以形成第一欧姆接触金属电极层，同时部分蚀刻至第二导电型外延层，形成第二欧姆接触金属电极层，且第一欧姆接触金属电极层与第二欧姆接触金属电极层都是位于同一侧。大幅提高发光二级体的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管，至少包括一发光二极管外延片，该外延片上具有一多层磷化铝镓铟外延层形成的发光二极管结构成长在一吸光基板上、一透明基板及利用一透明粘接层将该透明基板与发光二极管外延体表面接合在一起，其特征在于：在透明基板及具有发光二极管结构的外延片表面沉积一层二氧化硅。
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