[发明专利]均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法无效
| 申请号： | 00132598.1 | 申请日： | 2000-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1355331A | 公开（公告）日： | 2002-06-26 |
| 发明（设计）人： | 申家镜;邵春雷;魏雪峰 | 申请（专利权）人： | 黑龙江省光电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C30B25/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 157000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法,其特征是它是在充有含碳气体化合物等气体的容器内,通过电热丝架使电热丝呈弧口相对的圆弧形竖立排列,且使多根膜管生长丝通过丝架竖直排列在弧口相对的两电热丝列之间。该方法一次制做操作流程可生产多根长短不一,内径各异,管壁厚度均匀的金刚石膜管,可大大降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 阵列 生长 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法，其特征是它是在充有含碳气体化合物等气体的容器内，通过电热丝架使电热丝呈弧口相对的圆弧形竖立排列，且使多根膜管生长丝通过丝架竖直排列在弧口相对的两电热丝列之间。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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