[发明专利]自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00132745.3 | 申请日： | 2000-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1147010C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 陆大成;王晓晖;姚文卿;刘祥林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层；在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘；在电介质层上第二次开负电极窗口，并在此窗口上制作负电极。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 平面 结三族 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，其特征在于，其中包括：一蓝宝石或绝缘氧化物单晶衬底；在蓝宝石衬底上外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层；在n型三族氮化物上淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上依次的选择外延生长层有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层，并组成双异质结或量子阱发光二极管结构外延层，该P-N结的侧面自然终止于电介质层；选择外延生长的终止面为p型三族氮化物正电极接触层；在p型正电极接触层上制作正透明电极和正电极焊盘；在电介质层上第二次开负电极窗口，并在此窗口上制作负电极。
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