[发明专利]介质谐振器、介质滤波器、介质双工器和通信装置有效
| 申请号： | 00132836.0 | 申请日： | 2000-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1159798C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 多田齐;加藤英幸;松本治雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01P7/10 | 分类号： | H01P7/10;H01P1/20;H01P3/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种小尺寸、低损耗的介质谐振器、介质滤波器和介质双工器，以及使用这种元件的通信装置。在介质谐振其中包含介质块；形成在通孔的内表面上的内部导体，所述通孔从所述介质块的一个端面延伸到相对的表面；及形成在所述介质块的外表面上的外部导体；其中所述内部导体和所述外部导体中的至少一个的至少一部分具有薄膜多层电极结构，所述薄膜多层电极结构是通过交替地设置厚度小于工作频率时的趋肤深度的薄膜导电层和具有特定介质常数的薄膜介质层形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 谐振器 滤波器 双工器 通信 装置 | ||
【主权项】：
1.一种介质谐振器，其特征在于包含：介质块；形成在通孔的内表面上的内部导体，所述通孔从所述介质块的一个端面延伸到相对的表面；及形成在所述介质块的外表面上的外部导体；其中所述内部导体和所述外部导体中的至少一个的至少一部分具有薄膜多层电极结构，所述薄膜多层电极结构是通过交替地设置厚度小于工作频率时的趋肤深度的薄膜导电层和具有特定介质常数的薄膜介质层形成的。
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