[发明专利]互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构有效
| 申请号： | 00132939.1 | 申请日： | 2000-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1296290A | 公开（公告）日： | 2001-05-23 |
| 发明（设计）人： | 马克·L.·塔拉比尔;约瑟夫·Y.·阐;杰弗里·B.·霍尔 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有期望的恒定电容特性的累积电容器结构包括并联耦合的四个电容器。第一电容器包括与第一端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第二端子耦合的第一累积/耗尽区底极板。第二电容器具有与第二端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第一端子耦合的累积/耗尽区底极板。第三电容器具有与第一端子耦合的p型多晶硅顶极板、与第二端子耦合的累积/耗尽区底极板。第四电容器具有与第二端子耦合的p型多晶硅端子、与第一端子耦合的累积/耗尽区底极板。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 工艺 中的 线性 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1．一种累积电容器，具有第一累积电容器端子和第二累积电容器端子，其特征在于：第一电容器，具有与第一累积电容器端子耦合的n型多晶硅端子，和与第二累积电容器端子耦合的有源区端子；第二电容器，具有与第二累积电容器端子耦合的n型多晶硅端子，和与第一累积电容器端子耦合的有源区端子；第三电容器，具有与第一累积电容器端子耦合的p型多晶硅端子，和与第二累积电容器端子耦合的有源区端子；第四电容器，具有与第二累积电容器端子耦合的p型多晶硅端子，和与第一累积电容器端子耦合的有源区端子；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
