[发明专利]静电放电防护元件及相关的电路有效
| 申请号： | 00132956.1 | 申请日： | 2000-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1167129C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;林耿立 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种ESD防护元件以及相关的ESD防护电路。本发明的ESD防护元件是以冗余的栅结构来取代公知LVTSCR中ESD电流必须绕行经过的STI层。如此，冗余的栅结构一方面可以提供掺杂区的隔离效果，另一方面，又不会阻碍了ESD事件发生时ESD电流的放电路径。可以提高了LVTSCR的导通速度与ESD耐受力。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 元件 相关 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电防护元件，包含有：一第一导电型的第一阱区；一第二导电型的第二阱区，邻接于该第一阱区，与该第一阱区形成一接面；一第一导电型的金属氧化物半导体晶体管，包含有：一控制栅，设于该第二阱区上；一第一导电型的第一漏/源极区，形成于该接面上；以及一第一导电型的第二漏/源极区，形成于该第二阱区表面，耦合于一第一接合垫；一第二导电型的第一掺杂区，耦合于一第二接合垫，形成于该第一阱区的表面，与该第一阱区、该第二阱区以及该第二漏/源极构成一侧向半导体控制整流器；一第一导电型的第二掺杂区，形成于该第一掺杂区与该第一漏/源极区之间的第一阱区表面；以及一冗余栅，设于该第二掺杂区与该第一漏/源极区之间的第一阱区上。
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