[发明专利]带有存储单元和基准单元的集成式存储器有效
申请号: | 00133114.0 | 申请日: | 2000-09-14 |
公开(公告)号: | CN1160738C | 公开(公告)日: | 2004-08-04 |
发明(设计)人: | P·佩赫米勒 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种集成式存储器,具有:至少两个相互对应的位线;至少一个字线,所述字线与相对应的位线相交;在交叉点附近的一个存储单元;第一基准字线与位线相交,并具有设置在交叉点附近的第一基准存储单元;至少一个第二基准字线与位线相交,并具有设置在交叉点附近的第二基准存储单元,其中,在正常工作方式下,第一基准存储单元产生一个位线基准电位,之后,将所产生的基准电位与通过存储单元产生的基准电位相比较;并且,在校验工作方式下,第二基准存储单元产生一个基准电位,之后,将所产生的基准电位与通过第一基准存储单元产生的基准电位相比较。 | ||
搜索关键词: | 带有 存储 单元 基准 集成 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种集成式存储器,-具有至少两个相互对应的位线(BL,/BL),所述位线沿一个第一方向延伸;-具有至少一个字线(WL1,WL1’),所述字线沿与所述第一方向不同的一个第二方向延伸,其中,所述字线(WL1,WL1’)与相对应的位线(BL,/BL)相交;-具有在交叉点上的一个存储单元,其中,所述存储单元与所述字线和位线中的一个相连接;-具有第一基准字线(RWL1,RWL1’),所述基准字线与所述位线(BL,/BL)相交,并且具有设置在交叉点上的第一基准存储单元(RC1),该基准存储单元与所述第一基准字线(RWL1,RWL1’)和各位线相连接;-还具有至少一个第二基准字线(RWL2,RWL2’,RWL3),该基准字线与所述位线(BL,/BL)相交,并且具有设置在交叉点上的第二基准存储单元(RC2),该基准存储单元与所述第二基准字线(RWL2,RWL2’,RWL3)和各位线相连接,-其中,所述集成式存储器被设计为适用于正常工作方式和校验工作方式;-其中,在所述集成式存储器的正常工作方式下,所述第一基准存储单元(RC1)用于在两个相对应的位线(BL,/BL)上产生一个基准电位,之后,将在相对应的位线之一中所产生的基准电位与在相对应位线的另一个位线中通过存储单元(MC)产生的基准电位相比较;并且-其中,在所述集成式存储器的校验工作方式下,所述第二基准存储单元(RC2)用于在两个相对应的位线(BL,/BL)上产生一个基准电位,之后,将在相对应的位线之一中所产生的基准电位与在相对应位线的另一个位线中通过第一基准存储单元(RC1)产生的基准电位相比较。
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