[发明专利]灯退火器及用于控制其处理温度的方法无效
| 申请号： | 00133332.1 | 申请日： | 2000-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1154156C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 三平润 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据对每个特定步骤测量的值的偏差来计算晶体管特性的波动，计算在退火步骤前的先前步骤中晶体管特性的总的波动来控制退火步骤的处理温度，以消除由于先前步骤所造成的晶体管特性的总的波动，从而获得所设计的晶体管特性。对晶片的每个区段进行处理温度的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 火器 用于 控制 处理 温度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种灯退火器系统，包括：处理室(17)，其中接收有晶片(25)；灯块(18)，其包括多个区段(181-18N)，每个都能够与其它区段的输出功率无关地以一输出功率加热晶片(25)相应的部分；多个温度计(121-12N)，每个用于测量晶片(25)相应部分的温度；以及一控制部(13)，用于根据由相应的一个温度计(121-12N)测量的温度控制所述灯块(18)的各所述区段(181-18N)的输出功率，其中，所述控制部(13)消除直到灯退火步骤之前的步骤所导致的特性波动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
