[发明专利]半导体器件的制造方法和设备无效
| 申请号： | 00133333.X | 申请日： | 2000-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1298201A | 公开（公告）日： | 2001-06-06 |
| 发明（设计）人： | 池田真義 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/302;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 当使高频电能加载到上电极(3)上后,第二层间膜(104)受到包括碳氟化合物气体的腐蚀气体的腐蚀。然后,使低功率电能仅加载到下电极/晶片座(4)上,进而只利用碳氟化合物气体就产生了等离子体(P)。等离子体(P)对第一层间膜(103)进行腐蚀,并且从碳氟化合物中分离出来的氟根清除了硬化的抗蚀剂表面层(301)。由于入射离子的能量较低,所以实现了对基底(102)破坏极少的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
1．一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备其上形成有抗蚀剂(106)图形的处理目标(W)；在用上述抗蚀剂的图形掩蔽上述目标的情况下，先利用第一腐蚀气体对上述目标(W)进行腐蚀；以及再用第二腐蚀气体取代上述第一腐蚀气体对上述目标(W)进行腐蚀，同时清除在上述第一腐蚀步骤期间形成在上述抗蚀剂(106)表面上的硬化层(301)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
