[发明专利]半导体器件检查装置无效
申请号: | 00133431.X | 申请日: | 2000-11-06 |
公开(公告)号: | CN1296287A | 公开(公告)日: | 2001-05-23 |
发明(设计)人: | 山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄;辻出彻 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体器件检查装置用电流计9测定把平行电子束2照射在样品5上而在样品5上产生的电流。改变电子束3的加速电压反复测定,在数据处理装置10中,加速电压的差异导致电子束对样品5的透射率不同,由此求出与样品5的深度方向的构造有关的信息。利用这种装置可进一步改善检测由电子束的照射产生的基板电流的技术,对接触孔的详细形状和半导体器件的内部状态进行无损检查。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 检查 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件检查装置,具备有使电子束在被检查样品的半导体器件上边扫描边照射的电子束照射机构、测定在被检查样品上因电子束的照射所产生的电流的电流测定机构和对此电流测定机构的测量结果进行数据处理的数据处理机构,其特征在于上述电子束照射机构包括使电子束平行的准直机构和改变电子束的加速电压的机构,上述数据处理机构包括从用不同的加速电压扫描电子束时电子束对被检查样品的穿透率的不同求出与被检查样品的深度方向的构造有关的信息的机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造