[发明专利]一种单电子晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及微电子及微加工方法。本发明提供一种由一维波导及线条栅等组成的单电子晶体管。本发明的单电子晶体管是利用一维波导和线条栅组合形成量子点等技术来制备的。本发明通过“挖槽”等技术的应用减小了工艺损伤，提高了成品率。本发明的单电子晶体管工作稳定性好，适于集成。本发明的量子点的尺寸可小达纳米量级，从而大大提高了器件的工作温度。

主权项

1.一种单电子晶体管，其特征在于：在衬底和缓冲层(11)及台面(10)之间是二维电子气层(8)，利用二维电子气层通过合金形成欧姆接触作为源极(1)和漏极(2)，利用“挖槽”技术在源极和漏极之间形成一维波导(12)，一维波导通过槽(17)和(18)与其他台面部分隔离，在一维波导上沉积形成两条势垒线条栅(13)、(15)及两条边线条栅(14)、(16)，在势垒线条栅(13)、(15)上加负偏压，耗尽这两条势垒线条栅下的电子气，从而在它们之间的波导中形成量子点(3)。