[发明专利]制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 00134002.6 | 申请日： | 2000-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1142585C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李正鲁 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84;H01L29/76 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤：在衬底的一表面形成一沟道区域；在衬底的该表面沉积一绝缘层，同时覆盖所述沟道区域并在该绝缘层上形成图案；在该绝缘层上沉积一硅层；在硅层上沉积一金属层并蚀刻该硅层和金属层以限定源、漏和栅电极区；在MOS电路的沟道暴露部分掺入正离子；在该金属层上沉积一中间绝缘层，同时覆盖源、漏和栅电极区并在中间绝缘层上形成图案；以及在中间绝缘层上沉积一电极材料并在该电极材料上形成图案以限定一像素电极区和一线路区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括下述步骤：在衬底的一个表面形成一个沟道区域；在衬底的该表面沉积一绝缘层，同时覆盖所述沟道区域并在绝缘层上形成图案，以便暴露该沟道区域的一部分；在该绝缘层上沉积一个硅层；在该硅层上沉积一个金属层并蚀刻该硅和金属层以限定源、漏和栅电极区；在MOS电路的沟道暴露部分掺入正离子；在该金属层上沉积一个中间绝缘层，同时覆盖源、漏和栅电极区并在中间绝缘层上形成图案以形成许多接触孔；以及在该中间绝缘层上沉积一电极材料并在该电极材料上形成图案以限定一个像素电极区以及一个线路区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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