[发明专利]制造薄膜晶体管的方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤：在衬底上沉积一缓冲层和有源层；在该有源层上沉积一绝缘层并在其上形成栅电极；在栅电极的光刻胶层涂覆栅电极的侧面；在有源层的两边形成接触层，将涂覆的栅电极用作掩模；在有源层处形成轻掺杂的漏极区域；在栅电极的上表面沉积一层间绝缘层并在其预定部分形成接触孔来暴露接触层；通过在一第一金属层/ITO层/第二金属层的三层薄膜的接触孔上依次沉积和构造形成源电极、漏电极和像素电极。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，包含下述步骤：在一个衬底上沉积和结晶一个缓冲层和一个有源层并在该有源层上形成图案；在该有源层的上表面沉积一个绝缘层并使用一个光刻胶层通过一个光刻工艺在该绝缘层的一个上表面形成一个栅电极；通过加热沉积在该栅电极上的光刻胶层根据一个回流涂覆栅电极的侧面；通过等离子体离子喷射在有源层的两边形成具有高掺杂的接触层，将涂覆的栅电极用作一个掩模；在移去光刻胶层之后通过低浓度的离子喷射在有源层处形成一个轻微掺杂的漏极区域；在栅电极的一个上表面沉积一个层间绝缘层；通过在层间绝缘层的预定部分形成一个接触孔来暴露接触层；通过在一个第一金属层/一个ITO层/一个第二金属层的三层薄膜的接触孔上依次沉积和构造来形成一个源电极、一个漏电极以及一个像素电极；并通过一种电镀方法在第二金属层上形成一个数据线。