[发明专利]关键尺寸测试条的结构

摘要

一种关键尺寸测试条的结构,制作于晶方之间的一测试区上,此结构中包含一底层与图案化的一关键材料层的一部分,其中底层位于测试区内的基底的一部分上,底层的厚度约与一晶方内的基底表面的高度差异相同,而关键材料层位于晶方与测试区上。在位于晶方、底层与“测试区内的底层以外的基底”上的关键材料层中,分别具有晶方图案、第一测试图案与第二测试图案,其分别由晶方光掩模图案、第一测试光掩模图案与第二测试光掩模图案而得。这些光掩模图案都具有型态相同的图形,且都具有第一图形宽度。

主权项

1.一种关键尺寸测试条的结构，适用于一基底，该基底上区分出多个晶方与该些晶方间的一测试区，而该结构制作于该测试区上，其中每一该些晶方上都可区分出多个第一晶方区域与多个第二晶方区域，其中每一该些第一晶方区域内的该基底的高度都为一第一高度，每一该些第二晶方区域内的该基底的高度都为一第二高度，且该测试区内的该基底的高度为一第三高度，其中该第二高度大于该第一高度，且该第三高度等于该第一高度，该结构包括：一底层，其位于该测试区内的该基底的一部分之上，且该底层的厚度约等于该第一高度与该第二高度之差，而该测试区内的该基底的另一部分称作一低位区；以及图案化的一关键材料层的一部分，该关键材料层位于该些晶方与该测试区上，且该关键材料层的厚度各处都同，其中每一该些晶方、该测试区中的该底层与该低位区上方的该关键材料层中，分别具有一晶方图案、一第一测试图案与一第二测试图案，其分别由一晶方光掩模图案、一第一测试光掩模图案与一第二测试光掩模图案而得，该些光掩模图案的图形型态相同，且都具有相同的图形宽度。