[发明专利]固态成像器件及其制造方法和固态成像系统

摘要

提供一种采用MOS图像传感器的固态成像器件，包括形成于一种导电类型的第一半导体层(12和32)中的相反导电类型的第二半导体层(15a)中的光电二极管，及形成于一种导电类型的第三半导体层(12)中相反导电类型的第四半导体层(15b)中、与光电二极管相邻的光信号检测绝缘栅场效应晶体管，其中在第四半导体层(15b)中提供载流子包(25)，第二半导体层(15a)下第一半导体层(12、32)的部分在深度方向比第四半导体层(15b)下的第三半导体层(12)的部分厚。

主权项

1.一种固态成像器件，包括：形成于一种导电类型的第一半导体层中的相反导电类型的第二半导体层中的光电二极管，及形成于所述一种导电类型的第三半导体层中相反导电类型的第四半导体层中、与光电二极管相邻的光信号检测绝缘栅场效应晶体管；其中光电二极管的一部分包括在第二半导体层的表面层上的一种导电类型的杂质区，绝缘栅场效应晶体管的一部分包括在第四半导体层的表面层上的一种导电类型的源区和漏区，源区和漏区间的沟道区，在沟道区下第四半导体层中的相反导电类型的高浓度掩埋层，和通过栅绝缘膜形成于沟道区之上的栅极，所说杂质区与漏区连接，第一半导体层与第三半导体层连接，第二半导体层与第四半导体层连接，及在深度方向，第二半导体层下的第一半导体层的一部分比第四半导体层下第三半导体层的一部分厚。