[发明专利]旋涂玻璃组合物及其在半导体生产中形成氧化硅层的方法有效
| 申请号： | 00134841.8 | 申请日： | 2000-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1322009A | 公开（公告）日： | 2001-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李祯浩;崔晶植;金弘基;李东峻;姜大源;全相文 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C08G77/62 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－(SiH2NH)n－的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物,通式中n表示一个正整,其重均分子量在约4,000－8,000范围,分子量分布在约3.0－4.0的范围,以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化,将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 组合 及其 半导体 生产 形成 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种旋涂玻璃组合物，用于在半导体生产中形成氧化硅层，所述组合物包括：按总组合物重计约为10-30％重的化合物通式为-(SiH2NH)n-的全氢化聚硅氮烷，通式中n表示一个正整数，其中全氢化聚硅氮烷的重均分子量约4,000-8,000，分子量分布约3.0-4.0；和按组合物总重量计为约70-90％重的溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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