[发明专利]具有电源极性反接保护的电路有效
申请号: | 00135086.2 | 申请日: | 2000-11-30 |
公开(公告)号: | CN1355607A | 公开(公告)日: | 2002-06-26 |
发明(设计)人: | 秦旭沅;林文启 | 申请(专利权)人: | 点晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00;H02H11/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种具有电源极性反接保护的电路,它将保护用场效应管与被保护电路中元件的衬底相连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端,其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接,保护用场效应管会形成断路,防止电流烧毁电路中的场效应管元件,保护整体电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 电源 极性 反接 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种具有电源极性反接保护的电路,其特征在于,所述电路包括NMOS元件、PMOS元件及寄生二极管,还设有一保护用场效应管,其中所述保护用场效应管为PMOS场效应管,并与所述电路中的PMOS元件相连接,所述PMOS场效应管的源极连接至电源端,其栅极连接至接地端,其漏极和衬底连接至所述电路中PMOS元件的衬底。
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