[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 00135389.6 | 申请日: | 1994-07-28 |
公开(公告)号: | CN1149675C | 公开(公告)日: | 2004-05-12 |
发明(设计)人: | 米田裕;吉田茂人;加藤宪一;山根康邦;石井裕 | 申请(专利权)人: | 夏普公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/146;G02F1/133 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈景峻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在一种衬底上形成了半导体有源器件电路和导电线的半导体器件中,导电线被多次分割且各线的布线电阻限制在一预定数值或更小以便各线有均匀的布线电阻。将波形变坏响应信号分量加到通过信号线传输的信号上以便改善信号的波形变坏。此外,形成了一个与电源线相对的电容形成电极,并用在电源线和电容形成电极之间插入电介质的方法形成一个电容以便降低发生在电源线中的高频噪音。这就比以前更彻底地降低了有源器件电路中不规则运行的出现。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,它包含:一个衬底;一个包括一个半导体有源器件的有源器件电路,上述有源器件电路形成在上述衬底上;一个用来把决定上述有源器件电路运行频率的基本信号传输到上述有源器件电路去的信号线,上述基本信号从上述半导体器件的外部输入,上述信号线形成在上述衬底上;以及一个用来把波形变坏响应信号分量加到上述基本信号中运行时序已被规定部分去的波形改善电路,其中所述的波形改善电路有下列关系:T<1/f其中f是由上述基本信号操作的有源器件电路的运行频率,T是上述波形变坏响应信号分量的最小脉冲宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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