[发明专利]高纯四方相γ－三氧化二锰纳米晶及制备方法无效
| 申请号： | 00135435.3 | 申请日： | 2000-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1159229C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 桂宙;樊荣;胡源;陈仙辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及其制备方法，特征在于将高锰酸钾和水合肼反应，收集沉淀并烘干；所得纳米晶粒径分布在10-15纳米，颗粒度均匀，纯度达99％，不易氧化，不易吸湿，便于贮存；适用于制作软磁性材料如高频转换器、磁头、锰锌铁氧体磁芯，以及锂电池和锰干电池中的阳电极材料和用于去除废气中的CO、SO2、NO等气体的催化剂；本发明方法反应速度快、能耗低、成本低，容易实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 四方 氧化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的制备方法，其特征在于：将高锰酸钾和水合肼反应，产生土黄色沉淀，收集沉淀并烘干，即可得到高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶；其反应式为：。
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