[发明专利]70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 00135749.2 | 申请日： | 2000-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1360088A | 公开（公告）日： | 2002-07-24 |
| 发明（设计）人： | 徐秋霞;钱鹤;于雄飞;赵玉印 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/24;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法,本方法包括步骤一采用为氟化处理技术;步骤二采用为70纳米电子束胶图形的转移技术;其在现有设备的基础上实现超微细加工,同时具有成本低和工艺简单的优点,实现了高保真度的图形转移,并具有较强的抗腐蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 70 纳米 多晶 刻蚀 氟化 反应 离子 方法 | ||
【主权项】：
1、一种70纳米多晶硅栅刻蚀—氟化+反应离子刻蚀方法，其特征在于，本方法包括：步骤一：采用为氟化处理技术；步骤二：采用为70纳米电子束胶图形的转移技术。
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