[发明专利]溅射铜用自离化的等离子体无效
| 申请号： | 00135989.4 | 申请日： | 2000-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1301880A | 公开（公告）日： | 2001-07-04 |
| 发明（设计）人： | 托尼·P·常;余·D·丛;丁佩军(音译);付建明(音译);霍华德·H·唐;安尼史·托利亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;H01L21/3205;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 溅射铜的DC磁控管溅射反应器,优选压力低于5毫乇,使用SIP作第一铜层将铜涂覆进入窄而深的通道或沟槽的方法。使用有磁强度不相等磁极的小磁控管促进SIP并且在溅射期间向靶施加高功率。通过长投射溅射促进洞孔填充,靶－基体间隔是基体直径的至少50%,SIP铜层起籽晶和成核层作用。可联合SIP和高密度等离子体溅射来沉积铜籽晶层。优选以冷激发工序来激发等离子体,在存在较高压的氩气工作气体下向靶施加较低功率。激发后,降低压力,将靶功率提升到较高的作业量级,以便溅射沉积薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 等离子体 | ||
【主权项】：
1．一种在基体上溅射沉积铜的方法，包括步骤：提供一种舱室，具有主要包括铜的靶，该靶与夹持待溅射涂覆基体的基架以一种投射距离隔开，该投射距离大于基体直径的50％；绕靶后背旋转磁控管，所述磁控管面积不大于靶面积的大约1/4，并且包括被一种相反磁极性的外磁极环绕的一种磁极性的内磁极，所述外磁极的磁通量比所述内磁极的磁通量大至少50％；在舱室激发等离子体后，泵吸所述舱室至其压力不超过5毫乇；和泵吸所述舱室到所述压力的同时，对规格化为200mm晶片的所述靶施加至少10kW的DC功率，从而自所述靶向所述基体上溅射铜。
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