[发明专利]薄片电阻测定器及电子零件制造方法无效
申请号: | 00136078.7 | 申请日: | 2000-12-08 |
公开(公告)号: | CN1155998C | 公开(公告)日: | 2004-06-30 |
发明(设计)人: | 原田吉典 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/00;C23C14/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及薄片电阻测定器及电子零件制造方法,薄片电阻测定器具备产生磁场的线圈、为了使上述磁场在基板上的薄膜上产生涡流而设置得能够对上述基板的一面照射上述磁场的磁力线的传感器探测头、依据上述涡流引起的磁场变化量,检测薄膜的薄片电阻用的控制装置、与上述线圈形成谐振的电容器,以及对所述传感器探头控制线圈的温度用的槽、主通气口、副通气口及侧通气口。连续运行时能够使单侧涡流式薄片电阻测定器的薄片电阻测定结果稳定化。 | ||
搜索关键词: | 薄片 电阻 测定 电子零件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄片电阻测定器,其特征在于,具备传感器探测头,该传感器探测头包含产生磁场的线圈,所述磁场在形成于基板上的薄膜中产生涡流,使得所述磁场的磁力线仅在所述基板的一面延伸,具有依据上述涡流产生的磁场的变化量而产生相应的电位差的电压检测用电阻器的薄片电阻检测部,所述电压检测用电阻器与所述线圈相连接,与上述线圈并联或串联连接而形成谐振的电容器,对上述线圈的温度进行控制以抑制上述线圈的温度上升的温度控制部,以及根据所述电位差来计算薄片电阻值的运算部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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