[发明专利]单片半导体陶瓷电子元件有效
申请号: | 00136080.9 | 申请日: | 2000-12-08 |
公开(公告)号: | CN1305194A | 公开(公告)日: | 2001-07-25 |
发明(设计)人: | 川本光俊;新见秀明;児玉雅弘;岸本敦司 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明揭示一种单片半导体陶瓷电子元件,包括钛酸钡系列半导体陶瓷层和内部电极层,并将它们交替地进行叠层,形成外部电极并使其连接到内部电极层上,每个半导体陶瓷层的厚度S对于每个内部电极层的厚度I的比S/I在10到50的范围。内部电极层由镍系列金属组成。 | ||
搜索关键词: | 单片 半导体 陶瓷 电子元件 | ||
【主权项】:
1.一种单片半导体陶瓷电子元件,其特征在于,包括钛酸钡系列半导体陶瓷层,内部电极层,将所述半导体陶瓷层和内部电极层交互地进行叠层,将外部电极连接到所述内部电极层上,每个所述半导体陶瓷层的厚度S对于每个所述内部电极层的厚度I的比S/I在10到50的范围。
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