[发明专利]高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法无效
| 申请号： | 00136711.0 | 申请日： | 2000-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1326909A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 蒋政;樊世清 | 申请（专利权）人： | 蒋政 |
| 主分类号： | C04B35/624 | 分类号： | C04B35/624;C04B35/457;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065201 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造透明导电薄膜的溅射用高密度氧化铟锡(ITO)靶材及其制造方法,其特征为具有较高的密度,相对密度大于98%;成分均匀。其采用金属铟和金属锡为原料,用化学共沉淀法制造ITO粉,然后将ITO粉经热压成型,得到的压块经加工研磨后,制成ITO靶材。这种靶材可以用来制造透明导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 氧化物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于磁控溅射镀膜的氧化铟锡靶材，其特征为：具有较高的密度，相对密度大于98％；成分均匀。
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