[发明专利]一种纳米尺寸氢氧化镁的制备方法无效
申请号: | 00136739.0 | 申请日: | 2000-12-28 |
公开(公告)号: | CN1142098C | 公开(公告)日: | 2004-03-17 |
发明(设计)人: | 段雪;何静;赵芸;矫庆泽 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C01F5/22 | 分类号: | C01F5/22;B01J14/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩飘扬 |
地址: | 100029北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种纳米尺寸氢氧化镁的制备方法。采用液-液两相共沉淀反应的全返混液膜反应器进行镁盐与碱液的共沉淀反应,使成核/晶化隔离进行,分别控制晶体成核和生长条件。克服了现有技术中晶粒较大,颗粒不均匀,晶粒的整体尺寸以及颗粒尺寸难以控制的缺陷。制备出纳米尺寸、粒度分布均匀的氢氧化镁粉体。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 尺寸 氢氧化镁 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米尺寸氢氧化镁的制备方法,为镁盐溶液与碱溶液共沉淀反应生成氢氧化镁,其特征是采用液-液两相共沉淀反应的全返混液膜反应器实现上述反应,所说的全返混液膜反应器,由一封闭的机壳作为定子,定子内有一可旋转的锥台状转子,转子的锥度为50-70度,定子的内腔为与转子锥度相同的锥台状,转子的外表面和定子的内表面分别带有凹槽,定子内表面的凹槽呈螺旋状,转子外表面的凹槽与定子的凹槽形状、个数相同,但呈相反方向的螺旋状,凹槽的槽宽与槽深比为1-5∶1,转子上凹槽的个数与转子的最大直径的厘米数之比为2-3∶1;转子横截面积小的一端带有液体分布器,定子上设有原料进液口和出料口,进液口位于转子横截面积小的一端,出料口位于转子横截面积大的一端,定子内表面与转子外表面之间留有一个可调节大小的缝隙,缝隙尺寸可通过转子与定子相对位置的变化在1-20微米之间调变;其具体反应步骤如下:A:制备镁盐溶液和碱溶液,镁盐溶液的浓度为0.1-4.0mol/L,碱溶液浓度为0.2-4.0mol/l,[OH-]/[Mg2+]投料摩尔比为0.6-3.5;B:成核:将步骤A中镁盐溶液与碱溶液分别同时加入全返混液膜反应器中,经液体分布器分散后,在转子与定子之间的缝隙处充分混合,经出料口排出到晶化釜;控制转子的转速为1000-8000rpm,反应温度为5-40℃;物料在反应器内的停留时间为1-20min;C:晶化:步骤B中的物料进入晶化釜后,在搅拌状态下进行晶化,晶化采用在沸腾状态下回流晶化1-13h;D:将晶化后的物质经过滤、洗涤、干燥即得氢氧化镁。
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