[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括：主要由第一导电类型的半导体多层结构与第二导电类型的第一半导体层之间的PN结构成的光敏部件；和把光敏部件分成多个区的隔离部分。第一导电类型的半导体多层结构包括第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的第一半导体层；和第一导电类型的第二半导体层。隔离部分包括从第二导电类型的第一半导体层伸到第一导电类型的第二半导体层的第一导电类型的第三半导体层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体多层结构；形成在第一导电类型的半导体多层结构上的第二导电类型的第一半导体层；光敏部件，包括在第一导电类型的半导体多层结构与第二导电类型的第一半导体层之间的PN结；和把光敏部件分割成多个区域的隔离部分；其中，第一导电类型的半导体多层结构包括：第一导电类型的半导体衬底；在第一导电类型的半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；和在第一导电类型的第一半导体层上形成的第一导电类型的第二半导体层；其中，在被第一导电类型的第三半导体层包围的区域内形成光敏部件，第一导电类型的第三半导体层从第二导电类型的第一半导体层的表面延伸到第一导电类型的第二半导体层，和在第一导电类型的第三半导体层下面设置的第一导电类型的第四半导体层，其中，第一导电类型的第四半导体层被至少一部分第一导电类型的第三半导体层覆盖，伸过第一导电类型的第二半导体层，并至少到达第一导电类型的第一半导体层，其特征在于，隔离部分包括第一导电类型的第五半导体层，其从第二导电类型的第一半导体层伸到第一导电类型的第二半导体层，但不到达第一导电类型的第一半导体层。