[发明专利]半导体装置的电容器的制造方法无效
| 申请号： | 00137647.0 | 申请日： | 2000-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1306304A | 公开（公告）日： | 2001-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李起正;金东俊 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种既能制成确保优良电特性和高电容量并除去了杂质的优良电介质膜,又能简化制造工序并节省了生产成本的半导体装置的电容器的制造方法。该方法由以下工序组成在半导体晶片的下部构造物上形成下部电极;在上述下部电极的上部蒸镀非晶质TaON薄膜后,在NH3气氛中至少进行1次以上的退火工序,形成多层构造的TaON电介质膜;在上述多层构造的TaON电介质膜的上部形成上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置的电容器的制造方法，其特征是包含：在半导体晶片的下部构造物上形成下部电极的步骤；在上述下部电极的上部蒸镀非晶质TaON薄膜后，在含有氮或氧的气氛中至少进行1次以上退火工序，形成多层构造的TaON电介质膜的步骤；在上述TaON电介质膜的上部形成上部电极的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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