[发明专利]半导体器件的电容器制造方法有效
| 申请号： | 00137660.8 | 申请日： | 2000-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1361549A | 公开（公告）日： | 2002-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李起正;梁洪善 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/302;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够改善用作电解质膜的TaON薄膜的漏电流和介电特性的半导体的电容器制造方法。该方法由如下步骤构成形成规定的下部图形,提供用层间绝缘膜覆盖的半导体衬底;在所述层间绝缘膜上形成电容器下部电极;为了形成TaON薄膜作为电介质膜,而在所述下部电极上蒸镀非晶质状态的TaON薄膜,在真空状态下对非晶质TaON薄膜进行退火;在由所述TaON薄膜构成的电介质膜上形成电容器上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的电容器制造方法，其特征在于，包含如下步骤：形成规定的下部图形，提供用层间绝缘膜覆盖的半导体衬底；在所述层间绝缘膜上形成电容器下部电极；为了形成TaON薄膜作为电介质膜，而在所述下部电极上蒸镀非晶质状态的TaON薄膜，在真空状态下对非晶质TaON薄膜进行退火；在由所述TaON薄膜构成的电介质膜上形成电容器上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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