[发明专利]半导体激光元件无效
| 申请号： | 00137722.1 | 申请日： | 2000-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1302103A | 公开（公告）日： | 2001-07-04 |
| 发明（设计）人： | 井上大二朗;广山良治;竹内邦生;野村康彦;畑雅幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有突出部分的p－涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n－电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n－电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p－涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或,在n－载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层,在反向导电型第2电流阻挡层以及p－接触层上形成p－接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1．一种半导体激光元件其特征在于，具备：活性层；设置于活性层上的第1导电型的第1涂层；除了电流注入区域而在所述第1涂层上设置的第2导电型电流阻挡层；设置于所述第1涂层与所述电流阻挡层之间所述电流阻挡层侧具有比所述电流阻挡层更低载流子浓度的低载流子浓度层；设置于所述第1涂层与所述电流阻挡层之间所述第1涂层侧的阻止向所述低载流子浓度层积蓄载流子的载流子积蓄防止层。
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