[实用新型]一种用于X射线光刻的相移掩模无效
| 申请号： | 00223443.2 | 申请日： | 2000-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN2432610Y | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 冯伯儒;张锦;侯德胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 中国科学院成都专利事务所 | 代理人： | 张一红,王庆理 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种用于X射线光刻的相移掩模,由基片和基片上的掩模图形膜层组成。掩模图形膜层具有能产生180°相位延迟的一定厚度,并使用和基片相同的(或不同种类的)对X射线透明的材料,因此提高了掩模稳定性和光刻图形质量,解决了现有技术中用于X射线的掩模因吸收体较厚较重以及对X射线的吸收容易产生变形的问题。该掩模制作简单,可应用于大规模集成电路制造工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 射线 光刻 相移 | ||
【主权项】：
1、一种用于X射线光刻的相移掩模，包括对X射线透明的基片(2)，其特征在于：基片(2)上是具有能产生180度相位延迟的一定厚度的对X射线透明的图形膜层(3)。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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