[实用新型]一种金属薄膜磁敏电阻无效
申请号: | 00232807.0 | 申请日: | 2000-04-30 |
公开(公告)号: | CN2446664Y | 公开(公告)日: | 2001-09-05 |
发明(设计)人: | 孟庆波 | 申请(专利权)人: | 孟庆波 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08 |
代理公司: | 汕头专利事务所 | 代理人: | 丁楚浩,王少明 |
地址: | 515041 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型的金属薄膜磁敏电阻包含安装于壳体内部的芯片,该芯片有衬底,金属薄膜条和电极,衬底有两个相互垂直配置的相同迂回状凹槽,金属薄膜条位于该凹槽中,金属薄膜条上面有二氧化硅密封层。该磁敏电阻由于金属薄膜条被封闭在凹槽中,阻止金属扩散运动,不易剥离脱落,抗冲击,抗振动,不易被氧化腐蚀,因而该磁敏电阻使用稳定性高,可靠性好、寿命长,不因长期使用而影响灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 薄膜 电阻 | ||
【主权项】:
1、一种金属薄膜磁敏电阻,包含安装于壳体内部的芯片,该芯片有衬底、附着于衬底上的金属薄膜条和连接该金属薄膜条引出端的电极,其特征在于,所述衬底有两个相互垂直配置的相同迂回状凹槽,所述金属薄膜条位于该凹槽中,金属薄膜条上面有二氧化硅密封层。
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