[实用新型]一种化合物半导体组件电极结构无效
| 申请号： | 00234366.5 | 申请日： | 2000-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN2419688Y | 公开（公告）日： | 2001-02-14 |
| 发明（设计）人： | 宋盈彻;刘文明 | 申请（专利权）人： | 华上光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑霞,杨淑媛 |
| 地址： | 台湾省桃*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种化合物半导体组件电极结构,该电极结构包含一化合物半导体组件,位于透明导电层上的一正板及一位于电子层表面周缘的负极。所述化合物半导体组件包含一基板,覆盖在此基板上的电子层,覆盖在此电子层部分表面上的电洞层,覆盖在该电洞层上的透明导电层。该电极结构的特征为其负极包含一个将正极围绕的围绕部分,从而使正极与负极间电流更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 组件 电极 结构 | ||
【主权项】：
1、一种化合物半导体组件电极结构，其包含一化合物半导体组件，位于透明导电层上的一正极及一位于露出的电子层表面，亦即未被台地状电洞层覆盖的电子层表面上的负极；所述的化合物半导体组件包含一基板，覆盖于此基板上的电子层，覆盖于此电子层的部份表面上的台地状电洞层，覆盖在此电洞层上的透明导电层；其特征在于：该电极结构的负极包含一个将正极围绕的围绕部份，此围绕部份是位于露出的电子层表面周缘。
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