[实用新型]一种陶瓷薄膜沉积装置无效
申请号: | 00245788.1 | 申请日: | 2000-08-08 |
公开(公告)号: | CN2436514Y | 公开(公告)日: | 2001-06-27 |
发明(设计)人: | 吕建治 | 申请(专利权)人: | 吕建治 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250021 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型是一种大型数控等离子化学气相沉积装置,主要由高频电源、流量计、气瓶及设置在主机柜内的机械泵、罗茨泵、蝶阀、升降机械等构成。其中在主机柜的上部设置一带上下封头的真空室,其内室直径为1000mm—2000mm,主机柜可直接与电脑控制系统相连,与现有设备相比工作空间大,自动化程度高,减轻了操作难度,广泛用于发动机零部件、刀具、模具等金属异型表面沉积各种陶瓷薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1、一种陶瓷薄膜沉积装置,具有高频电源(1)、隔直流电容(2)、流量计(5)、气瓶(6),以及设置在主机柜(14)内的机械泵(7)、蝶阀(8)、管道(9)、罗茨泵(10)、放气阀(11)、升降机械(12)、真空计(13),其特征是:在所述的主机柜(14)的上部设置一带有上、下封头(15)、(16)的真空室(17),且在真空室(17)的内部设有上、下极板(3)、(4),其中,上极板(3)连接一根贯穿真空室(17)上封头(15)的通管接头(18),在通管接头(18)的管封(20)处连接一根与流量计(5)相通的配气管(21),并且,上极板(3)极端通过导线(22)与隔直流电容(2)相连接,隔直流电容(2)的另一端通过导线与高频电源(1)连接,而设置在真空室(17)下封头(16)上端的下极板(4),其极端通过导线(23)与高频电源(1)的地线共接对地;所述的下封头(16)其封头底部设置一与蝶阀(8)相连的阀管接头(19),在阀管接头(19)左、右两侧的下封头(16)壳体上分别设置了与真空室(17)相通的放气阀(11)、真空计(13),所述的真空室(17)的端头设有二根流通管(24)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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