[实用新型]三相无中线交流接触器直流控制器无效
| 申请号： | 00267929.9 | 申请日： | 2000-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN2463946Y | 公开（公告）日： | 2001-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杨转筱;周训炘 | 申请（专利权）人： | 北京通力环电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H47/22 | 分类号： | H01H47/22;H01H47/32;H01H47/02 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 101100 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 三相无中线交流接触器直流控制器由三相整流桥、外接控制接点、储能电容、可控硅电路、接触器构成,三相电源分别经一分压电容接三相整流桥输入,三相整流桥的输出接外接控制接点,外接控制接点控制可控硅电路,可控硅电路接在三相整流桥输出回路中,储能电容与可控硅电路并联,接触器串接在可控硅主回路中。在电网电压大幅度波动时,本实用新型仍可使接触器可靠吸合并长期工作。 | ||
| 搜索关键词： | 三相 中线 交流 接触器 直流 控制器 | ||
【主权项】：
1．一种三相无中线交流接触器直流控制器，其特征在于：它由三相整流桥、外接控制接点、储能电容、可控硅电路、接触器构成，其中：三相电源分别经一分压电容接三相整流桥输入，三相整流桥的输出接外接控制接点，外接控制接点控制可控硅电路，可控硅电路接在三相整流桥输出回路中，储能电容与可控硅电路并联，接触器串接在可控硅主回路中。
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