[发明专利]等离子体处理系统和方法

摘要

一种基片处理系统包括处理室(10)、设置在该室中的基片支架(12)、该室输送生成气体的气源(54)、位于该室中的至少一个离子源(20)和能量源，该能量源通过对阳极(30)施加正偏压和阴极(32)施加负偏压来给离子源输送能量，在每个实例中偏压都是相对于该室的。离子源使生成气体离子化以产生用于处理设置在室中的基片支架上的基片的离子。一个实施例包括两个这种离子源。在这种情况下，能量源以时分多路的方式给第一和第二阳极(30，40)和阴极(32，42)提供能量，以使在任何时候仅有一个第一或第二离子源通电，因而消除了离子源之间的相互作用。

主权项

1.一种基片处理系统，包括：接地的处理室；设置在所说的处理室中的基片支架；与所说的处理室相连接以给所说的处理室输送生成气体的气体源；在所说的处理室中的离子源，该离子源对所说的生成气体进行离子化以产生用于处理设置在正对着所说的离子源的所说的基片支架中的基片表面的离子，所说的离子源包括第一阳极和第一电子源；能量源，该能量源对所说的阳极、所说的电子源和所说的基片施加偏压以使在所说的基片支架上的基片和所说的阳极偏置到正电压的电平而同时所说的电子源偏置到负电压。