[发明专利]薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 00800436.6 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1297581A | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 汤田坂一夫;下田达也;关俊一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/208;H01L21/316;H01L21/288;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是,采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜,对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种薄膜晶体管的制造方法，该方法是具有硅膜、栅极绝缘膜、栅极电极用导电膜、层间绝缘膜、电极和布线用导电膜的各种薄膜的薄膜晶体管的制造方法，其特征是：上述硅膜的形成，含涂敷含有硅原子的液体材料形成涂敷膜的工序，和其次使该涂敷膜变成为硅膜的热处理工序和/或光照射工序。
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