[发明专利]硅膜成形方法无效
| 申请号： | 00800439.0 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1297577A | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;宫下悟;关俊一;古泽昌宏;汤田坂一夫;竹内安正;松木安生 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;捷时雅株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C01B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴大建,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种硅膜成形方法,包括将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。 | ||
| 搜索关键词： | 成形 方法 | ||
【主权项】：
1．一种硅膜成形方法，其特征在于在基板上涂布含有环状硅化合物的溶液，该硅化合物由通式SinXm代表，其中n是等于或大于5的整数，m是等于n、2n-2或2n的整数，X是氢原子和/或卤素原子。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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