[发明专利]磁检测器及其制造方法,以及使用它的磁头无效
| 申请号： | 00800459.5 | 申请日： | 2000-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1165777C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤雅重;菊地英幸;小林和雄 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明披露了一种磁检测器，它包括：(1)一支撑基片，(2)一铁磁隧道结元件，其具有在该支撑基片上的第一磁层，在所述第一磁层上的隧道绝缘层，所述隧道绝缘层包括氧化铝，所述氧化铝是由氧化在第一磁层上形成的铝膜获得的，所述铝膜是使用99.999％或更高纯度的铝靶通过溅射形成的，以及在隧道绝缘层上的第二磁层，以及(3)一用于把磁场的改变转换为电阻的改变的转换元件。此外，作为(2)的铁磁隧道结元件，使用其隧道结具有沿所施加电压的方向为不对称的电压-电阻特性的元件。所述不对称的电压-电阻特性可以通过对绝缘层材料的薄膜进行热处理，改变用于形成氧化物的绝缘层的环境中氧气的局部压力，使用两个或多个用于形成薄膜的靶的材料并移动基片等方法来获得。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 及其 制造 方法 以及 使用 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种磁检测器，它包括：(1)一个支撑基片，(2)一个铁磁隧道结元件，其具有在该支撑基片上的第一磁层、在所述第一磁层上的隧道绝缘层、以及在隧道绝缘层上的第二磁层，所述隧道绝缘层包括氧化铝，所述氧化铝是由氧化在第一磁层上形成的铝膜获得的，所述铝膜是使用99.999％或更高纯度的铝靶通过溅射形成的，以及(3)用于把磁场的改变转换为电阻的改变的一个转换元件。
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