[发明专利]具有成分分级的铁电材料的铁电场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 00800714.4 | 申请日： | 2000-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1302456A | 公开（公告）日： | 2001-07-04 |
| 发明（设计）人： | 有田浩二;卡罗斯·A·帕兹德阿罗 | 申请（专利权）人： | 赛姆特里克斯公司;松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性非破坏性读出的铁电FET存储器(10,40,60,80,100,120，130,160)包括半导体衬底(19)、铁电功能梯度材料(“FGM”)薄膜(26,50,70,90,20,140,170)和栅电极(30)。在一个基本实施例中,铁电FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)包括铁电化合物和介电化合物。介电化合物具有比铁电化合物低的介电常数。在薄膜中铁电化合物有浓度梯度。在第二基本实施例中,FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)是功能梯度铁电体(“FGF”),其中铁电化合物的合成的梯度导致反传统磁滞行为。FGF薄膜的反传统磁滞行为与铁电FET存储器中的扩大的存储窗相关。FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)优选地使用液体源MOD方法形成,优选是多源CVD方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 成分 分级 材料 电场 效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种具有半导体衬底(9)、铁电薄膜和栅电极(30)的铁电FET(10,40,60,80,100,110,120,130,160)，其特征在于所述铁电薄膜是铁电FGM薄膜(26,50,70,90,20,140或170)。
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