[发明专利]硅外延晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 00800858.2 | 申请日： | 2000-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1304461A | 公开（公告）日： | 2001-07-18 |
| 发明（设计）人： | 长谷川宏一;大久保裕司 | 申请（专利权）人： | 直江津电子工业株式会社;信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 刘立平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式,能有效地降低全制程所需时间,对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升,进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外,于进行化学蚀刻处理时,由于能将蚀刻量确保在60μm以上,因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此,能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%,而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1一种硅外延晶片，其特征在于：系在由表面光泽度为95％以上之硅单晶所构成之化学蚀刻基片上，形成硅单晶薄膜。
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