[发明专利]从半导体晶片切割芯片的方法及切割区中设置的槽的结构

摘要

提供一种防止切割表面被硬质保护膜覆盖的半导体晶片时发生的保护膜剥离的切割方法。通过刻蚀在GaAs衬底的芯片周边部的切割区中形成两条平行的槽。其次，在半导体衬底的表面上形成SiO2膜作为表面保护膜。这时，在槽内表面上的保护膜和在衬底表面上的保护膜的边界上形成折弯部。使用刀片切割两条槽的中央。这时在切割刀片的边缘上发生的对保护膜的应力集中在折弯部上，沿折弯部产生裂纹。

主权项

1．一种半导体晶片的切割方法，它是将半导体晶片切割成多个芯片的方法，其特征在于：包括利用制作半导体元件时的半导体衬底的刻蚀工序，在上述半导体晶片的切割区中至少形成一条槽的步骤；在上述形成的槽的内表面及上述半导体衬底的表面上设置硬质保护膜的步骤；以及使切割刀片的边缘通过上述槽的底部，切断上述半导体衬底的步骤，在上述切割时，在上述槽的内表面上设置的保护膜和在上述半导体衬底的表面上设置的保护膜的边界上的折弯部上产生裂纹。