[发明专利]光传感器和光传感器系统有效
| 申请号： | 00801588.0 | 申请日： | 2000-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1319257A | 公开（公告）日： | 2001-10-24 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木和広;佐佐木诚;腰冢靖雄 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由于光传感器阵列被设置有一或多个半导体层,所述半导体层具有用于通过入射激发光二生成载流子的载流子生成区,这些载流子生成区的位置可被任意地设定以使均衡入射光在两维方向上行进的平衡,实现了带有较少失真的感知。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 系统 | ||
【主权项】：
1、一种光传感器，包括：第一门电极；设置在所述第一门电极上方的第一门绝缘膜；设置在所述第一门绝缘膜上方的至少一半导体层；用于使漏电流在所述半导体层中流动的源电极和漏电极；设置在所述半导体层上方的第二门绝缘膜；及设置在所述第二门绝缘膜上方的第二门电极，其特征在于所述半导体层包括多个其中流动漏电流的沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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