[发明专利]铝合金薄膜及靶材和使用它的薄膜形成方法无效
| 申请号： | 00801709.3 | 申请日： | 2000-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1138011C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 久保田高史;渡边弘 | 申请（专利权）人： | 三井金属鉱业株式会社 |
| 主分类号： | C22C21/06 | 分类号： | C22C21/06;C23C14/34;G09F9/30;H01L21/203;H05K1/09;H05K3/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种即使经过300～400℃热处理后也无小丘发生且电阻率在7μΩcm以下的耐热性、低电阻铝合金薄膜及能够形成具有上述特性的铝合金薄膜的溅射靶材。本发明的铝合金薄膜的特征在于，含有作为合金成分的铝、碳及镁，以碳的原子百分率为Yat％、镁的原子百分率为Xat％，则碳及镁的含量为由式X＝0.61、X＝8、Y＝2、Y＝-0.13X+1.3所包围范围内的量，余量为铝及不可避免的杂质。另外，本发明的用于形成铝合金薄膜的溅射靶材的特征在于，构成靶材的成分为铝、碳、镁及不可避免的杂质，碳及镁的量为由上述各式所包围范围内的量，余量为铝及不可避免的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 薄膜 使用 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.铝合金薄膜，其特征在于，含有作为合金成分的铝、碳及镁，以碳的原子百分率为Yat％、镁的原子百分率为Xat％，则碳及镁的含量为由下面各式：X＝0.61X＝8Y＝2Y＝-0.13X+1.3所包围的范围内的量，余量为铝及不可避免的杂质。
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