[发明专利]双向取向薄膜以及磁记录介质有效
| 申请号： | 00801746.8 | 申请日： | 2000-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1320138A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 漥田啓;中岛彰二;中森由佳里;恒川哲也 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;B32B27/36;G11B5/73;//C08L6700 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种特别是用于磁记录介质时,电磁转换特性、走行耐久性和对磁头的走行性优良的高品质双向取向薄膜。本发明的目的是通过下述双向取向薄膜实现的,其特征在于它由以聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)作为必须成分的聚合物合金构成,至少1个表面具有突起高度为2～50nm的微细突起100万～9000万个/mm2。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 取向 薄膜 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
1、双向取向薄膜，它由以聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)作为必须成分的聚合物合金构成，至少1个表面具有突起高度为2～50nm的微细突起100万～9000万个/mm2。
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