[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

利用三个叠置在一起的引线框架的工件成批制造塑封的两相桥式整流器器件，所述器件具有四个外部的引线端子，所述引线框架大体上是平的，其中，在工件上的多个器件位置上的每一个上，设置半导体二极管芯片的双芯片叠层。各个叠层的每个芯片被夹在上层和中层引线框架或者中层和底层引线框架的相应的焊盘对之间。中层引线框架的两个焊盘对中的每一个连接到中层引线框架的一对端子引线的相应的引线上，所述中层引线框架的一对端子引线在中层引线框架的平面内。每个上层和底层引线框架的焊盘对中的一个的整体延伸部分从其相应的引线框架的平面弯出，从而包括平的端子引线部分，其位于中层引线框架的平面内而不与之连接。所有的四个端子引线在平面内的部分包括：在封装器件期间使用的挡杆；上层和底层引线框架的挡杆共同形成一个在同一平面的挡杆。在封装后，单个器件从引线框架上分离出来。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下各步骤：将半导体二极管第一芯片的第一表面，即下表面，固着于第一焊盘的上表面上，所述第一焊盘通过弯曲状的第一引线与平直的引线框架连成一体，所述引线框架位于第一平面中，所述引线框架还包括在第二平面内的第一长度部分，所述第二平面在所述第一平面上方并与第一平面隔开一定间隙；将所述芯片第二表面，即上表面，固着于第二焊盘的下表面上，所述第二焊盘通过平的第二引线与平直的第二引线框架连成一体，第二引线框架位于所述第二平面中；封装所述芯片、所述第一、第二焊盘，并且第一引线和第二引线的一部分从所述外壳伸出，所述第一引线和第二引线的一部分分别与所述第一和第二引线框架一体形成，其中上述封装步骤包括：将芯片放置在模腔内，第一引线的第一长度部分和第二引线穿过限定模腔的壁上的孔从所述被封装的模腔内延伸到模腔外，而保持不被封装。